硅基芯片及模組系列
第三代半導體芯片及模組系列
儲能
應用概述
應用概述
儲能(neng)可實現新(xin)能(neng)源電(dian)(dian)力(li)上網、保持電(dian)(dian)網高(gao)效安全運行和電(dian)(dian)力(li)供需(xu)平衡，特別是大規(gui)模新(xin)能(neng)源發電(dian)(dian)環節，儲能(neng)系(xi)統有利于削峰填谷，使(shi)光伏、風(feng)力(li)發電(dian)(dian)等不穩定電(dian)(dian)力(li)平滑(hua)輸出(chu)。
芯長征已在效率、創新、性能和成本方面成為推動儲能解決方案 (ESS) 的優選廠商。芯長征的分立式 SJ MOSFET、SiC 、VD MOSFET、IGBT單(dan)管和(he)IGBT模塊、以及高度集(ji)成式Easy 3B、Flow 2等產(chan)品為各式儲能系統提供最優解決方案(an)。
、
儲能
應用系統圖
應用系統圖
儲能
應用拓撲圖
應用拓撲圖
儲能
推薦產品
推薦產品
IGBT單管產品清單
| Part Number | VCE(V) | Ic(A)@100℃ | Vcesat(V) @25℃ typ |
Eon(mJ) | Eoff(mJ) | Package | Datasheet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPBW40N65E | 650 | 40 | 1.5 | 0.94 | 0.85 | TO-247 | |
| MPBW40N65EH | 650 | 40 | 1.5 | 0.81 | 0.85 | TO-247 | Download |
| MPBW50N65EH | 650 | 50 | 1.54 | 1.14 | 1.26 | TO-247 | |
| MPBW15N120BF | 1200 | 15 | 1.8 | 1.17 | 0.95 | TO-247 | |
| MPBW25N120BF | 1200 | 25 | 1.9 | 1.6 | 1.9 | TO-247 | |
| MPBW40N120BF | 1200 | 40 | 1.85 | 1.6 | 3.0 | TO-247 | |
| MPBQ75N120E | 1200 | 75 | 1.58 | 4.97 | 3.42 | TO-247 plus | |
| MPBQ100N120E | 1200 | 100 | 1.7 | 8.9 | 6.2 | TO-247 plus |
IGBT模塊產品清單
| Part Number | VCE(V) | Ic(A)@100℃ | Vcesat(V) @25℃ typ |
Eon(mJ) | Eoff(mJ) | Package | Datasheet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPFF200R12KBF | 1200 | 200 | 2 | 8.8 | 13.6 | 62mm module | |
| MPFF200R12RB | 1200 | 200 | 2.26 | 22.7 | 17.1 | 34mm module | Download |
| MPFF450R12KBF | 1200 | 450 | 2.04 | 88.4 | 43.7 | 62mm module | |
| MPFF600R12MBF M3 | 1200 | 600 | 2.2 | 151.3 | 88.6 | EconoDUAL 3 |
VD MOSFET產品清單
| Part Number | VDSS(V) | ID(A)@25°C | V(GS)th(V)@250μA | RDS(on)(Ω)@VGS=10V 25°C max | QG(nC) | Package | Datasheet | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | |||||||
| MPVA13N50F | 500 | 13 | 2 | 4 | 0.45 | 36 | TO-220F | |
| MPVX20N50B | 500 | 20 | 3 | 4 | 0.3 | 75 | TO-220F/TO-220/TO-247/TO-3P | |
| MPVA20N50F | 500 | 20 | 2 | 4 | 0.26 | 60 | TO-220F | |
